基礎(chǔ)信息Product information

產(chǎn)品名稱：氮化鎵GaN/碳化硅SiC功率測量IsoVu光隔離

產(chǎn)品型號：TIVH02L

更新時間：2025-06-09

產(chǎn)品簡介：

氮化鎵GaN/碳化硅SiC功率測量IsoVu光隔離
中國臺灣孕龍ZEROPLUS一級代理商
美國DESCO一級代理商
德國科納沃茨特KLEINWACHTER一級代理商
日本愛斯佩克ESPEC一級代理商
美國是德KEYSIGHT（原安捷倫Agilent電子事業(yè)部）特約經(jīng)銷商
美國吉時利KEITHLEY特約經(jīng)銷商

產(chǎn)品特性Product characteristics

專業(yè)儀器設(shè)備和測試方案供應(yīng)商——上海堅(jiān)融實(shí)業(yè)有限公司JETYOO INDUSTRIAL & 堅(jiān)友（上海）測量儀器有限公司JETYOO INSTRUMENTS，由前安捷倫Agilent【現(xiàn) 是德KEYSIGHT】產(chǎn)品技術(shù)支持工程師——堅(jiān) JET 和 吉時利KEITHLEY【現(xiàn) 泰克Tektronix】忠實(shí)用戶使用工程師——融 YOO于2012年共同創(chuàng)立，志在破舊立新！*電子測量行業(yè)代理經(jīng)銷商只專業(yè)做商務(wù)銷售，不專業(yè)做售前測試方案，不專業(yè)做售后使用培訓(xùn)的空白。我們的技術(shù)銷售工程師均為本科以上學(xué)歷，且均有10年以上儀器行業(yè)工作經(jīng)驗(yàn)，專業(yè)為中國區(qū)用戶提供儀器設(shè)備、測試方案、技術(shù)培訓(xùn)、設(shè)備維修、實(shí)驗(yàn)室建設(shè)和搬遷服務(wù)，為上海華東地區(qū)一家以技術(shù)為導(dǎo)向的儀器設(shè)備綜合服務(wù)商。

代理經(jīng)銷品牌：
中國臺灣孕龍ZEROPLUS一級代理商
美國DESCO一級代理商
德國科納沃茨特KLEINWACHTER一級代理商
日本愛斯佩克ESPEC一級代理商
美國是德KEYSIGHT(原安捷倫Agilent電子事業(yè)部)特約經(jīng)銷商
美國吉時利KEITHLEY特約經(jīng)銷商

氮化鎵GaN/碳化硅SiC功率測量IsoVu光隔離探頭TIVH02L

IsoVu ® 探頭具有業(yè)內(nèi)*的 1 GHz 帶寬、160 dB 或 100,000,000:1 的共模抑制比、60 kV 共模電壓、± 2500 V 大差分范圍和探頭負(fù)載，是適合解決當(dāng)今嚴(yán)苛功率測量挑戰(zhàn)的工具。  

氮化鎵GaN/碳化硅SiC功率測量可能耗時較長且在某些情況下不可能實(shí)現(xiàn)。了解 Panasonic 等公司如何改用 IsoVu 來縮短上市時間。

氮化鎵GaN/碳化硅SiC功率測量IsoVu光隔離探頭TIVH02L優(yōu)化性能和效率

功率設(shè)計(jì)的優(yōu)勢只有在開關(guān)電路、門極驅(qū)動電路及布局都正確設(shè)計(jì)和優(yōu)化時才能實(shí)現(xiàn)。IsoVu 可用于：

檢定門驅(qū)動器、Vgs、Vds 和 Is

檢定高壓側(cè)和低壓側(cè)事件的時間對準(zhǔn)

優(yōu)化和調(diào)整開關(guān)特點(diǎn)

氮化鎵GaN，碳化硅SiC功率損耗測量IsoVu光隔離探頭TIVH02L

型號 帶寬 差分電壓 共模電壓 共模抑制比 光纖電纜長度 

TIVH02

200 MHz ± 2500 V ≤ 60 kV DC：> 160 dB

100 MHz：100 dB 

200 MHz：100 dB 3 米

TIVH02L

200 MHz ± 2500 V ≤ 60 kV DC：> 160 dB

100 MHz：100 dB 

200 MHz：100 dB 10 米

TIVH05

500 MHz ± 2500 V ≤ 60 kV DC：> 160 dB

100 MHz：100 dB 

500 MHz：80 dB 3 米 

TIVH05L

500 MHz ± 2500 V ≤ 60 kV DC：> 160 dB

100 MHz：100 dB 

500 MHz：80 dB 10 米

TIVM1

1 GHz ±50 V ≤ 60 kV DC：> 160 dB

100 MHz：120 dB 

1 GHz：80 dB 3 米

TIVH08

800 MHz ± 2500 V ≤ 60 kV DC：> 160 dB

100 MHz：100 dB 

800 MHz：75 dB 3 米

TIVM1L

1 GHz ±50 V ≤ 60 kV DC：> 160 dB

100 MHz：120 dB 

1 GHz：80 dB 10 米 

TIVH08L

800 MHz ± 2500 V ≤ 60 kV DC：> 160 dB

100 MHz：100 dB 

800 MHz：75 dB 10 米